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更新時間:2026-06-30
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機械摩擦損傷
批量槽式清洗將數十片晶圓同槽浸泡,片體相互碰撞、摩擦,直接刮傷表面圖形;槽內超聲振板直接接觸基板,也會產生物理劃痕。
聲波能量過載擊穿微結構
常規低頻超聲波(20kHz~100kHz)空化氣泡爆破沖擊力非常強,針對厚度僅數十納米的沉積薄膜、光刻膠結構,極易造成層裂、穿孔。
噴淋覆蓋不均,局部能量集中
單點位簡易噴淋設備會造成基板局部聲波能量過高,邊緣、薄膜薄弱區域易出現損傷,同時清洗潔凈度參差不齊。
結構:單組獨立霧化噴嘴,單點定向柔和噴淋
無損清洗優勢:可精準對準 4 寸小型基板、光掩模版局部區域,流量、聲波功率單獨微調,小批量試樣清洗時能量全可控,不會出現過清洗損傷;藥液用量最少,減少化學試劑對薄膜的腐蝕。
適用場景:實驗室工藝研發、小批量掩膜版試樣、Lift-off 剝離小樣處理。
結構:雙側對稱雙通道噴淋,支持雙頻獨立輸出
無損清洗優勢:基板正反 / 左右雙側同步覆蓋,避免單側噴淋造成的局部能量堆積,整片晶圓聲波分布均勻,邊緣與中心潔凈度一致,無局部過清洗、薄膜破損問題;清洗節拍相比單噴嘴提升 40%,適配中小規模量產。
適用場景:4 寸硅晶圓量產線、常規光罩日常潔凈工序。
結構:三組分區獨立控制噴嘴,可分別調節流量、頻率、功率
無損清洗優勢:全域無盲區全覆蓋大尺寸基板,針對多層薄膜、高低差線路基板,可分區匹配不同聲波參數;復雜結構區域采用低功率柔和清洗,平整區域適配標準功率,兼顧潔凈度與結構保護,高的端的先進制程優先選擇。
適用場景:大規模芯片量產、多層薄膜精密基板、高潔凈度光掩膜生產線。
PVDF 全密封換能器組件
所有接觸藥液部件均采用聚偏氟乙烯全封裝,耐強酸強堿腐蝕,不會析出雜質污染晶圓,同時無金屬硬邊摩擦刮傷基板風險,適配各類腐蝕性清洗試劑。同時提供浸沒式換能器版本,可改造原有濕法槽體。
單片獨立作業模式
系統一次僅處理單一片晶圓,無多片堆疊、碰撞風險;每片基板可單獨設置清洗參數,柔性匹配不同產品,不會出現批量統一參數造成的部分工件過清洗損傷。
模塊化低功率調控發生器
Slim Line 纖薄系列發生器功率線性可調,可精準輸出低能量兆聲波,針對超薄、高脆弱基板做到微量溫和清洗,不會出現能量過載擊穿薄膜。
單片硅晶圓全制程精密清洗;
光刻光掩模版高精度潔凈處理;
Lift-off 剝離工藝殘膠、金屬殘渣去除;
4 英寸化合物半導體基板濕法清洗;
實驗室新品工藝研發試樣清洗。
研發打樣、小批量試樣:選擇單噴嘴,精準控能、低成本,避免試樣報廢;
常規中小型量產、標準 4 寸晶圓:優先雙噴嘴,兼顧清洗均勻度與生產效率;
高產能、多層薄膜復雜基板、高的端的先進制程:選用三通道噴嘴,分區獨立調控,最的大的化的降低微結構損傷概率。
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