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Technomate SSBL-37.5A高壓泵：如何解決半導體晶片清洗與屏幕打磨難題？

更新時間：2026-06-11      瀏覽次數：76
在半導體晶片清洗與屏幕打磨等精密制造環節中，高壓泵浦的性能直接決定了工藝參數的穩定性。日本Technomate SSBL-37.5A系列嵌入式小型高壓泵浦通過空氣驅動與特定材料密封設計，從壓力控制、空間適配及介質兼容性三個維度解決工藝難題。

Technomate SSBL-37.5A高壓泵：如何解決半導體晶片清洗與屏幕打磨難題？

1. 解決高壓輸出與流量控制難題


半導體晶片清洗要求高壓液體具備精確的噴射力，以剝離表面薄膜與顆粒。SSBL-37.5A型號在0.5MPa的標準驅動氣壓下，可將排出壓力穩定提升至17.6MPa，排出流量為0.58L/min。該壓力區間（1.76～17.6MPa）可通過調節氣源壓力進行線性控制，滿足晶片清洗設備對高壓純水或IPA（異丙醇）的精準噴射需求，保障清洗良率。


2. 解決設備空間受限與嵌入安裝難題


自動化打磨與清洗設備內部空間緊湊。SSBL-37.5A系列采用緊湊型設計，物理尺寸嚴格控制在寬123mm × 高116mm × 深296.5mm。該尺寸規格使其能夠直接嵌入半導體清洗設備（噴射清洗）、污染物清洗設備及拋光墊維護設備內部，無需額外占用外部空間。


3. 解決特殊化學介質腐蝕與防爆難題


屏幕打磨與晶片剝離工藝常涉及NMP（N-甲基吡咯烷酮）等強溶劑，且部分區域需防火防爆。SSBL-37.5A系列增壓部分采用氟樹脂和超高分子量聚乙烯作為密封材料。針對NMP介質，該型號提供Kalrez規格O型圈配置，確保在接觸強溶劑時不發生腐蝕與泄漏。同時，其純空氣驅動設計（驅動氣壓范圍0.05～0.5MPa，氣耗量約70L/min@60SPM）從根本上杜絕了電氣火花風險，滿足防爆區域的安全作業標準。


綜上，SSBL-37.5A系列高壓泵浦憑借17.6MPa的最高排出壓力、123×116×296.5mm的緊湊體積，以及針對NMP介質的Kalrez密封配置，為半導體晶片清洗與屏幕打磨提供了具備確切數據支撐的流體控制方案。


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